Hersteller Produktnummer:
IRFB4110PBFXKMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRFB4110PBFXKMA1-DG
Beschreibung:
TRENCH >=100V
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 120A (Tc) 370W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventar:
13269135
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IRFB4110PBFXKMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
210 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
9620 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
370W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
-
Qualifikation
-
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220AB
Paket / Koffer
TO-220-3
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP005732686
448-IRFB4110PBFXKMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
DIGI-Zertifizierung
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