Hersteller Produktnummer:
IAUTN12S5N017ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IAUTN12S5N017ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET_(120V 300V)
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 120 V Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventar:
3185 Stück Neu Original Auf Lager
12991604
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IAUTN12S5N017ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
120 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
-
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
-
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Vgs (Max)
-
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HSOF-8-1
Paket / Koffer
8-PowerSFN
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
448-IAUTN12S5N017ATMA1DKR
448-IAUTN12S5N017ATMA1CT
SP005629891
448-IAUTN12S5N017ATMA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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