Hersteller Produktnummer:
IPW95R130PFD7XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPW95R130PFD7XKSA1-DG
Beschreibung:
HIGH POWER_NEW
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 950 V 36.5A 227W Through Hole PG-TO247-3-41
Inventar:
150 Stück Neu Original Auf Lager
12991612
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
IPW95R130PFD7XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
950 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
36.5A
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
227W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3-41
Paket / Koffer
TO-247-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
448-IPW95R130PFD7XKSA1
SP005547004
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
IAUC120N06S5N022ATMA1
MOSFET_)40V 60V)
FBG04N30BSH
GAN FET HEMT 40V 30A 4FSMD-B
ISC800P06LMATMA1
TRENCH 40<-<100V
