Hersteller Produktnummer:
IAUT165N08S5N029ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IAUT165N08S5N029ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 165A 8HSOF
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 165A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-1
Inventar:
1976 Stück Neu Original Auf Lager
12799541
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IAUT165N08S5N029ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
165A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 108µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
6370 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
167W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-HSOF-8-1
Paket / Koffer
8-PowerSFN
Basis-Produktnummer
IAUT165
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
IAUT165N08S5N029ATMA2-DG
IAUT165N08S5N029ATMA2TR
IAUT165N08S5N029ATMA2DKR
INFINFIAUT165N08S5N029ATMA2
IAUT165N08S5N029
IAUT165N08S5N029CT
2156-IAUT165N08S5N029ATMA2
IAUT165N08S5N029CT-DG
IAUT165N08S5N029TR
IAUT165N08S5N029DKR
IAUT165N08S5N029ATMA2CT
IAUT165N08S5N029TR-DG
SP001585162
IAUT165N08S5N029DKR-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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