Hersteller Produktnummer:
BTS247ZE3062AATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BTS247ZE3062AATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 55V 33A TO263-5
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 55 V 33A (Tc) 120W (Tc) Surface Mount PG-TO263-5-2
Inventar:
12799548
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BTS247ZE3062AATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
TEMPFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
33A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 90µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
90 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1730 pF @ 25 V
FET-Funktion
Temperature Sensing Diode
Verlustleistung (max.)
120W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-5-2
Paket / Koffer
TO-263-5, D2PAK (4 Leads + Tab), TO-263BB
Basis-Produktnummer
BTS247
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-BTS247ZE3062AATMA2TR
SP000910846
BTS247ZE3062AATMA2-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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