Hersteller Produktnummer:
IAUC60N04S6N050HATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IAUC60N04S6N050HATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 40V 60A (Tj) 52W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-57
Inventar:
4533 Stück Neu Original Auf Lager
12948855
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IAUC60N04S6N050HATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
5mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 13µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1027pF @ 25V
Leistung - Max
52W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-57
Basis-Produktnummer
IAUC60
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-IAUC60N04S6N050HATMA1DKR
SP003863384
448-IAUC60N04S6N050HATMA1TR
448-IAUC60N04S6N050HATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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