IAUC60N04S6L030HATMA1
Hersteller Produktnummer:

IAUC60N04S6L030HATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

IAUC60N04S6L030HATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET 2N-CH 40V 60A 8TDSON
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 40V 60A (Tj) 75W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-56

Inventar:

12948858
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IAUC60N04S6L030HATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Half Bridge)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
60A (Tj)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 25µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
35nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2128pF @ 25V
Leistung - Max
75W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-PowerVDFN
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-56
Basis-Produktnummer
IAUC60

Datenblatt & Dokumente

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-IAUC60N04S6L030HATMA1CT
448-IAUC60N04S6L030HATMA1TR
SP004134512
448-IAUC60N04S6L030HATMA1DKR
2156-IAUC60N04S6L030HATMA1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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