Hersteller Produktnummer:
IAUC120N06S5L022ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IAUC120N06S5L022ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET_)40V 60V)
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 170A (Tj) 136W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-34
Inventar:
4968 Stück Neu Original Auf Lager
12994107
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IAUC120N06S5L022ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™-5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
170A (Tj)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2.2mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.2V @ 65µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
77 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5651 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
136W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-34
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
SP005613154
448-IAUC120N06S5L022ATMA1TR
448-IAUC120N06S5L022ATMA1DKR
448-IAUC120N06S5L022ATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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