Hersteller Produktnummer:
DMJ70H600HK3-13
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMJ70H600HK3-13-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 651V~800V TO252 T&
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 700 V 7.6A (Tc) 90W (Tc) Surface Mount TO-252 (DPAK)
Inventar:
12994124
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
DMJ70H600HK3-13 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
700 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
17.4 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
570 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
90W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
DMJ70
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
31-DMJ70H600HK3-13TR
31-DMJ70H600HK3-13DKR
31-DMJ70H600HK3-13CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
DMT10H4M9LPSW-13
MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI50
DMP2900UFBQ-7B
MOSFET BVDSS: 8V~24V X1-DFN1006-
BUK7Y59-60E/DMANX
MOSFET