Hersteller Produktnummer:
BTS282ZE3180AATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BTS282ZE3180AATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 49V 80A TO263-7
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 49 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-1
Inventar:
12799743
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BTS282ZE3180AATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
TEMPFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
49 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.5mOhm @ 36A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 240µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
232 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
FET-Funktion
Temperature Sensing Diode
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7-1
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis-Produktnummer
BTS282
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
INFINFBTS282ZE3180AATMA2
BTS282ZE3180AATMA2DKR
BTS282ZE3180AATMA2-DG
SP000910848
2156-BTS282ZE3180AATMA2
BTS282ZE3180AATMA2CT
BTS282ZE3180AATMA2TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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