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Häufig gestellte Fragen
Hersteller Produktnummer:
IPB530N15N3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPB530N15N3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 150V 21A D2PAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 150 V 21A (Tc) 68W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventar:
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EINREICHEN
IPB530N15N3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
150 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
21A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
8V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
53mOhm @ 18A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 35µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
887 pF @ 75 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
68W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-3
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Basis-Produktnummer
IPB530
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
IPB530N15N3GATMA1
HTML-Datenblatt
IPB530N15N3GATMA1-DG
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
IPB530N15N3G
IPB530N15N3 GCT
IPB530N15N3 GDKR
IPB530N15N3 GTR-DG
IPB530N15N3 GCT-DG
SP000521718
IPB530N15N3GATMA1DKR
IPB530N15N3GATMA1CT
IPB530N15N3 GDKR-DG
IPB530N15N3GATMA1TR
INFINFIPB530N15N3GATMA1
IPB530N15N3 G-DG
2156-IPB530N15N3GATMA1
IPB530N15N3 G
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDB2572
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
593
TEILNUMMER
FDB2572-DG
Einheitspreis
0.84
ERSATZART
MFR Recommended
Teilenummer
IRFS4615TRLPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
4656
TEILNUMMER
IRFS4615TRLPBF-DG
Einheitspreis
0.81
ERSATZART
MFR Recommended
DIGI-Zertifizierung
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