Hersteller Produktnummer:
BSZ900N20NS3GATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSZ900N20NS3GATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 15.2A 8TSDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 15.2A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventar:
16519 Stück Neu Original Auf Lager
12799398
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BSZ900N20NS3GATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
15.2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
90mOhm @ 7.6A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 30µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11.6 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
920 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
62.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSDSON-8
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSZ900
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSZ900N20NS3GTR-DG
BSZ900N20NS3GATMA1CT
BSZ900N20NS3GCT
BSZ900N20NS3G
BSZ900N20NS3 G
2156-BSZ900N20NS3GATMA1
BSZ900N20NS3GTR
BSZ900N20NS3GDKR-DG
BSZ900N20NS3GATMA1DKR
BSZ900N20NS3GDKR
BSZ900N20NS3GATMA1TR
SP000781806
BSZ900N20NS3GCT-DG
INFINFBSZ900N20NS3GATMA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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