Hersteller Produktnummer:
BSD816SNL6327HTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSD816SNL6327HTSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 20V 1.4A SOT363-6
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 20 V 1.4A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventar:
12799410
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Menge
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BSD816SNL6327HTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
1.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.8V, 2.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 1.4A, 2.5V
vgs(th) (max.) @ id
950mV @ 3.7µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.6 nC @ 2.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
180 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
500mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT363-PO
Paket / Koffer
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BSD816SN L6327CT
BSD816SN L6327CT-DG
SP000464868
BSD816SNL6327HTSA1CT
BSD816SNL6327HTSA1TR
BSD816SN L6327DKR
BSD816SNL6327HTSA1DKR
BSD816SN L6327DKR-DG
BSD816SN L6327TR-DG
BSD816SNL6327
BSD816SN L6327
BSD816SN L6327-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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