Hersteller Produktnummer:
IQDH29NE2LM5CGATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IQDH29NE2LM5CGATMA1-DG
Beschreibung:
OPTIMOS 6 POWER-TRANSISTOR
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 75A (Ta), 789A (Tc) 2.5W (Ta), 278W (Tc) Surface Mount PG-TTFN-9-U02
Inventar:
12943334
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IQDH29NE2LM5CGATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™ 5
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
75A (Ta), 789A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.29mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 1.448mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
254 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
17000 pF @ 12 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 278W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TTFN-9-U02
Paket / Koffer
9-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
IQDH29
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-IQDH29NE2LM5CGATMA1DKR
448-IQDH29NE2LM5CGATMA1TR
448-IQDH29NE2LM5CGATMA1CT
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
DIGI-Zertifizierung
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