Hersteller Produktnummer:
BSZ018NE2LSATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSZ018NE2LSATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 23A/40A TSDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 23A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Inventar:
9111 Stück Neu Original Auf Lager
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BSZ018NE2LSATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
OptiMOS™
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
23A (Ta), 40A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2800 pF @ 12 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TSDSON-8-FL
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSZ018
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSZ018NE2LSDKR
SP000756338
BSZ018NE2LSCT
BSZ018NE2LS-ND
BSZ018NE2LSATMA1CT
BSZ018NE2LSATMA1DKR
BSZ018NE2LSATMA1TR
BSZ018NE2LSDKR-ND
BSZ018NE2LS
BSZ018NE2LSCT-ND
BSZ018NE2LSTR-ND
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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