BSS209PWH6327XTSA1
Hersteller Produktnummer:

BSS209PWH6327XTSA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BSS209PWH6327XTSA1-DG

Beschreibung:

MOSFET P-CH 20V 630MA SOT323-3
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 630mA (Tc) 300mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323

Inventar:

76915 Stück Neu Original Auf Lager
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BSS209PWH6327XTSA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
630mA (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
550mOhm @ 630mA, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.2V @ 3.5µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
1.3 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±12V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
115 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
300mW (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT323
Paket / Koffer
SC-70, SOT-323
Basis-Produktnummer
BSS209

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BSS209PWH6327XTSA1TR
BSS209PWH6327XTSA1CT
SP000750498
BSS209PWH6327XTSA1DKR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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