Hersteller Produktnummer:
NVD5117PLT4G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVD5117PLT4G-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 60 V 11A (Ta), 61A (Tc) 4.1W (Ta), 118W (Tc) Surface Mount DPAK
Inventar:
12843051
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NVD5117PLT4G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Ta), 61A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
16mOhm @ 29A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
85 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4800 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
4.1W (Ta), 118W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
DPAK
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
NVD511
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
NVD5117PLT4GOSCT
NVD5117PLT4GOSDKR
ONSONSNVD5117PLT4G
2156-NVD5117PLT4G-OS
NVD5117PLT4GOSTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
TJ50S06M3L(T6L1,NQ
HERSTELLER
Toshiba Semiconductor and Storage
VERFÜGBARE ANZAHL
2000
TEILNUMMER
TJ50S06M3L(T6L1,NQ-DG
Einheitspreis
0.74
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Direct
DIGI-Zertifizierung
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