Hersteller Produktnummer:
BSP317PL6327HTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSP317PL6327HTSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 250V 430MA SOT223-4
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 250 V 430mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventar:
12801813
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Menge
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BSP317PL6327HTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
430mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4Ohm @ 430mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 370µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15.1 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
262 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.8W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT223-4-21
Paket / Koffer
TO-261-4, TO-261AA
Basis-Produktnummer
BSP317
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
2156-BSP317PL6327HTSA1
BSP317PL6327HTSA1TR
BSP317PL6327INCT
BSP317PL6327HTSA1DKR
BSP317P L6327-DG
BSP317PL6327HTSA1CT
BSP317P L6327
2156-BSP317PL6327HTSA1-ITTR-DG
BSP317PL6327INDKR
BSP317PL6327INTR
BSP317PL6327XT
SP000089220
BSP317PL6327
BSP317PL6327INDKR-DG
BSP317PL6327INCT-DG
BSP317PL6327INTR-DG
IFEINFBSP317PL6327HTSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSP317PH6327XTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
8987
TEILNUMMER
BSP317PH6327XTSA1-DG
Einheitspreis
0.29
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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