Hersteller Produktnummer:
BSO612CVGHUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSO612CVGHUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 60V 3A/2A 8DSO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 60V 3A, 2A 2W Surface Mount PG-DSO-8
Inventar:
12799195
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Menge
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BSO612CVGHUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A, 2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 20µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
15.5nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
340pF @ 25V
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
PG-DSO-8
Basis-Produktnummer
BSO612
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
BSO612CVGHUMA1TR
BSO612CVGHUMA1DKR
2156-BSO612CVGHUMA1
BSO612CVXTINCT
BSO612CVXTINCT-DG
BSO612CVGXT
BSO612CVXTINTR-DG
BSO612CVT
BSO612CVGINTR-DG
BSO612CVGINTR
BSO612CVGINDKR-DG
BSO612CVGINCT-DG
INFINFBSO612CVGHUMA1
BSO612CVGT
BSO612CVXTINTR
BSO612CVGHUMA1CT
BSO612CVGINDKR
BSO612CV G
SP000216307
BSO612CVG
BSO612CV G-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF7343TRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
18654
TEILNUMMER
IRF7343TRPBF-DG
Einheitspreis
0.39
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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