Hersteller Produktnummer:
IRF7343TRPBF
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IRF7343TRPBF-DG
Beschreibung:
MOSFET N/P-CH 55V 4.7A/3.4A 8SO
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 55V 4.7A, 3.4A 2W Surface Mount 8-SO
Inventar:
18654 Stück Neu Original Auf Lager
12823713
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IRF7343TRPBF Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
N and P-Channel
FET-Funktion
-
Drain zur Quellspannung (Vdss)
55V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.7A, 3.4A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
50mOhm @ 4.7A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
1V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36nC @ 10V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
740pF @ 25V
Leistung - Max
2W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Basis-Produktnummer
IRF734
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
4,000
Andere Namen
SP001565516
IRF7343PBFCT
IRF7343PBFTR
*IRF7343TRPBF
IRF7343PBFDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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