Hersteller Produktnummer:
BSD840NH6327XTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSD840NH6327XTSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363
Detaillierte Beschreibung:
Mosfet Array 20V 880mA 500mW Surface Mount PG-SOT363-PO
Inventar:
54248 Stück Neu Original Auf Lager
13063912
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BSD840NH6327XTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, FET, MOSFET-Arrays
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Hersteller
Infineon Technologies
Reihe
OptiMOS™
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Status des Teils
Active
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Konfiguration
2 N-Channel (Dual)
FET-Funktion
Logic Level Gate
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
880mA
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
400mOhm @ 880mA, 2.5V
vgs(th) (max.) @ id
750mV @ 1.6µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
0.26nC @ 2.5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
78pF @ 10V
Leistung - Max
500mW
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Paket / Koffer
6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT363-PO
Basis-Produktnummer
BSD840
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
BSD840N H6327CT
BSD840NH6327
BSD840N H6327TR-ND
BSD840N H6327CT-ND
BSD840NH6327XTSA1DKR
BSD840NH6327XTSA1CT
BSD840N H6327DKR
SP000917654
BSD840N H6327-ND
BSD840NH6327XT
BSD840N H6327DKR-ND
BSD840N H6327
BSD840NH6327XTSA1TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
DIGI-Zertifizierung
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