Hersteller Produktnummer:
BSC061N08NS5ATMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSC061N08NS5ATMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 82A TDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 82A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventar:
16913 Stück Neu Original Auf Lager
12799786
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
BSC061N08NS5ATMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
82A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
6V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.1mOhm @ 41A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 41µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2500 pF @ 40 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-7
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC061
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC061N08NS5ATMA1DKR
BSC061N08NS5ATMA1CT
BSC061N08NS5ATMA1-DG
BSC061N08NS5ATMA1TR
SP001232634
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BSZ097N10NS5ATMA1
MOSFET N-CH 100V 8A/40A TSDSON
BSS308PEH6327XTSA1
MOSFET P-CH 30V 2A SOT23-3
BUZ31H3046XKSA1
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
