Hersteller Produktnummer:
BUZ31H3046XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BUZ31H3046XKSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 14.5A TO262-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 14.5A (Tc) 95W (Tc) Through Hole PG-TO262-3-1
Inventar:
12799794
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BUZ31H3046XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
14.5A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
200mOhm @ 9A, 5V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 1mA
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1120 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
95W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO262-3-1
Paket / Koffer
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
SP000682994
2156-BUZ31H3046XKSA1-IT
INFINFBUZ31H3046XKSA1
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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