BSC042NE7NS3GATMA1
Hersteller Produktnummer:

BSC042NE7NS3GATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BSC042NE7NS3GATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 75V 19A/100A TDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 75 V 19A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1

Inventar:

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BSC042NE7NS3GATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
75 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
19A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.8V @ 91µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4800 pF @ 37.5 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 125W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-1
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC042

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
BSC042NE7NS3GATMA1
HTML-Datenblatt
BSC042NE7NS3GATMA1-DG

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC042NE7NS3 GTR-DG
BSC042NE7NS3G
2156-BSC042NE7NS3GATMA1
BSC042NE7NS3GATMA1DKR-DGTR-DG
BSC042NE7NS3GATMA1TR
BSC042NE7NS3 GCT-DG
BSC042NE7NS3 G-DG
SP000657440
BSC042NE7NS3 GDKR-DG
BSC042NE7NS3GATMA1DKR
BSC042NE7NS3 G
BSC042NE7NS3 GCT
BSC042NE7NS3 GDKR
BSC042NE7NS3GATMA1CT-DGTR-DG
BSC042NE7NS3 GTR
BSC042NE7NS3GATMA1CT
INFINFBSC042NE7NS3GATMA1

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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