Hersteller Produktnummer:
BSS225L6327HTSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSS225L6327HTSA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Inventar:
12799073
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BSS225L6327HTSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
SIPMOS®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
90mA (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
45Ohm @ 90mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.3V @ 94µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
131 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-SOT89
Paket / Koffer
TO-243AA
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
BSS225L6327HTSA1TR
BSS225L6327XT
BSS225 L6327
SP000095776
BSS225 L6327-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
BSS225H6327FTSA1
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
5690
TEILNUMMER
BSS225H6327FTSA1-DG
Einheitspreis
0.19
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
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