Hersteller Produktnummer:
BSB013NE2LXIXUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSB013NE2LXIXUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 36A/163A 2WDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 36A (Ta), 163A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventar:
12828957
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Menge
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BSB013NE2LXIXUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
36A (Ta), 163A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.3mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
62 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4400 pF @ 12 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / Koffer
3-WDSON
Basis-Produktnummer
BSB013
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSB013NE2LXITR-DG
SP000756346
BSB013NE2LXIXUMA1TR
BSB013NE2LXI-DG
IFEINFBSB013NE2LXIXUMA1
BSB013NE2LXICT
2156-BSB013NE2LXIXUMA1
BSB013NE2LXIDKR
BSB013NE2LXI
BSB013NE2LXIDKR-DG
BSB013NE2LXIXUMA1CT
BSB013NE2LXIXUMA1DKR
BSB013NE2LXICT-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF6717MTRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
8674
TEILNUMMER
IRF6717MTRPBF-DG
Einheitspreis
1.21
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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