Hersteller Produktnummer:
BSB012NE2LX
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSB012NE2LX-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 37A/170A 2WDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 37A (Ta), 170A (Tc) 2.8W (Ta), 57W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventar:
12842946
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BSB012NE2LX Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
37A (Ta), 170A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
1.2mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
67 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
4900 pF @ 12 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 57W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / Koffer
3-WDSON
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSB012NE2LXCT
BSB012NE2LXXUMA1
BSB012NE2LXDKR
BSB012NE2LX-DG
BSB012NE2LXXT
BSB012NE2LXTR
SP000756344
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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