Hersteller Produktnummer:
NVMFD6H852NLT1G
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
NVMFD6H852NLT1G-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 80V 7A/25A 8DFN DL
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 80 V 7A (Ta), 25A (Tc) 3.2W (Ta), 38W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Inventar:
12842967
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NVMFD6H852NLT1G Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
80 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
7A (Ta), 25A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
25.5mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 26µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
521 pF @ 40 V
Verlustleistung (max.)
3.2W (Ta), 38W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFN (5x6) Dual Flag (SO8FL-Dual)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
NVMFD6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,500
Andere Namen
NVMFD6H852NLT1GOS
NVMFD6H852NLT1GOS-DG
NVMFD6H852NLT1GOSCT
NVMFD6H852NLT1GOSTR
NVMFD6H852NLT1GOSDKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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