Hersteller Produktnummer:
BSB008NE2LXXUMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
BSB008NE2LXXUMA1-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 46A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventar:
12802287
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BSB008NE2LXXUMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
46A (Ta), 180A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.8mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
343 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
16000 pF @ 12 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Paket / Koffer
3-WDSON
Basis-Produktnummer
BSB008
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
5,000
Andere Namen
448-BSB008NE2LXXUMA1CT
448-BSB008NE2LXXUMA1TR
SP000880866
448-BSB008NE2LXXUMA1DKR
BSB008NE2LXXUMA1-DG
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
IRF6717MTRPBF
HERSTELLER
Infineon Technologies
VERFÜGBARE ANZAHL
8674
TEILNUMMER
IRF6717MTRPBF-DG
Einheitspreis
1.21
ERSATZART
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DIGI-Zertifizierung
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