Hersteller Produktnummer:
AUIRFU8401
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
AUIRFU8401-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 40V 100A IPAK
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 40 V 100A (Tc) 79W (Tc) Through Hole IPAK
Inventar:
12798659
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
AUIRFU8401 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
-
Reihe
HEXFET®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
40 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
4.25mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 500µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
63 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2200 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
79W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
IPAK
Paket / Koffer
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Basis-Produktnummer
AUIRFU8401
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
SP001518756
IRAUIRFU8401
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
BSC018NE2LSIATMA1
MOSFET N-CH 25V 29A/100A TDSON
AUIRFN8405TR
MOSFET N-CH 40V 95A PQFN
BSC028N06NSATMA1
MOSFET N-CH 60V 23A/100A TDSON