BSC009NE2LS5IATMA1
Hersteller Produktnummer:

BSC009NE2LS5IATMA1

Product Overview

Hersteller:

Infineon Technologies

Teilenummer:

BSC009NE2LS5IATMA1-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 25V 40A/100A TDSON
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 25 V 40A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 74W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

Inventar:

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BSC009NE2LS5IATMA1 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
25 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
40A (Ta), 100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
0.95mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
49 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
3200 pF @ 12 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
2.5W (Ta), 74W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TDSON-8-7
Paket / Koffer
8-PowerTDFN
Basis-Produktnummer
BSC009

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
HTML-Datenblatt

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
BSC009NE2LS5IATMA1-DG
SP001212434
BSC009NE2LS5IATMA1CT
BSC009NE2LS5IATMA1DKR
BSC009NE2LS5IATMA1TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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