Hersteller Produktnummer:
AIMW120R045M1XKSA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
AIMW120R045M1XKSA1-DG
Beschreibung:
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-3
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 52A (Tc) 228W (Tc) Through Hole PG-TO247-3
Inventar:
239 Stück Neu Original Auf Lager
12948663
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AIMW120R045M1XKSA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tube
Reihe
CoolSiC™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiCFET (Silicon Carbide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
52A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
59mOhm @ 20A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
5.7V @ 10mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+20V, -7V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2130 pF @ 800 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
228W (Tc)
Betriebstemperatur
-40°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO247-3
Paket / Koffer
TO-247-3
Basis-Produktnummer
AIMW120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
SP002472666
448-AIMW120R045M1XKSA1
2156-AIMW120R045M1XKSA1-448
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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