Hersteller Produktnummer:
IPD80P03P4L07ATMA2
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
IPD80P03P4L07ATMA2-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 30V 80A TO252-31
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
Inventar:
15227 Stück Neu Original Auf Lager
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IPD80P03P4L07ATMA2 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
OptiMOS®-P2
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.8mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2V @ 130µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (Max)
+5V, -16V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5700 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
88W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO252-3-11
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Basis-Produktnummer
IPD80P03
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,500
Andere Namen
448-IPD80P03P4L07ATMA2CT
448-IPD80P03P4L07ATMA2DKR
SP002325740
448-IPD80P03P4L07ATMA2TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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