Hersteller Produktnummer:
AIMBG120R030M1XTMA1
Product Overview
Hersteller:
Infineon Technologies
Teilenummer:
AIMBG120R030M1XTMA1-DG
Beschreibung:
SIC_DISCRETE
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 70A (Tc) 333W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Inventar:
12989207
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AIMBG120R030M1XTMA1 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Infineon Technologies
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
70A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
18V, 20V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (max.) @ id
-
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
57 nC @ 20 V
Vgs (Max)
+23V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1738 pF @ 800 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
333W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
AEC-Q101
Qualifikation
Automotive
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
PG-TO263-7-12
Paket / Koffer
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Basis-Produktnummer
AIMBG120
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
1,000
Andere Namen
448-AIMBG120R030M1XTMA1DKR
448-AIMBG120R030M1XTMA1CT
448-AIMBG120R030M1XTMA1TR
SP005577227
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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