Hersteller Produktnummer:
ICE20N170B
Product Overview
Hersteller:
IceMOS Technology
Teilenummer:
ICE20N170B-DG
Beschreibung:
Superjunction MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 236W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventar:
1600 Stück Neu Original Auf Lager
12990379
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ICE20N170B Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
IceMOS Technology
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
20A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
199mOhm @ 10A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2064 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
236W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263
Paket / Koffer
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), Variant
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
5133-ICE20N170BTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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