Hersteller Produktnummer:
ICE22N60
Product Overview
Hersteller:
IceMOS Technology
Teilenummer:
ICE22N60-DG
Beschreibung:
Superjunction MOSFET
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 600 V 22A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
150 Stück Neu Original Auf Lager
12990380
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ICE22N60 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
IceMOS Technology
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
22A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
160mOhm @ 11A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.9V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
2730 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
208W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
5133-ICE22N60
Umwelt- und Exportklassifizierung
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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