Hersteller Produktnummer:
IRFD213
Product Overview
Hersteller:
Harris Corporation
Teilenummer:
IRFD213-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 250V 450MA 4DIP
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 250 V 450mA (Ta) Through Hole 4-HVMDIP
Inventar:
5563 Stück Neu Original Auf Lager
12817576
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IRFD213 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
450mA (Ta)
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 270mA, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
8.2 nC @ 10 V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
140 pF @ 25 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
4-HVMDIP
Paket / Koffer
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
468
Andere Namen
HARHARIRFD213
2156-IRFD213-HC
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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