FDD2612
Hersteller Produktnummer:

FDD2612

Product Overview

Hersteller:

Fairchild Semiconductor

Teilenummer:

FDD2612-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 200V 4.9A TO252
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 4.9A (Ta) 42W (Ta) Surface Mount TO-252 (DPAK)

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2261 Stück Neu Original Auf Lager
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FDD2612 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.9A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
720mOhm @ 1.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
11 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
234 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
42W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-252 (DPAK)
Paket / Koffer
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter
FDD2612

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
360
Andere Namen
2156-FDD2612-FSTR
FAIFSCFDD2612

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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