Hersteller Produktnummer:
FDS2170N3
Product Overview
Hersteller:
Fairchild Semiconductor
Teilenummer:
FDS2170N3-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 3A 8SOIC
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 3A (Ta) 3W (Ta) Surface Mount 8-SO
Inventar:
2627 Stück Neu Original Auf Lager
13077234
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FDS2170N3 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Verpackung
Bulk
Reihe
PowerTrench®
Verpackung
Bulk
Status des Teils
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
3A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
128mOhm @ 3A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
36 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1292 pF @ 100 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
3W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-SO
Paket / Koffer
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
145
Andere Namen
2156-FDS2170N3-FSTR
FAIFSCFDS2170N3
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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