GT52N10D5
Hersteller Produktnummer:

GT52N10D5

Product Overview

Hersteller:

Goford Semiconductor

Teilenummer:

GT52N10D5-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 100V 71A DFN5*6-8L
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 71A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5.2x5.86)

Inventar:

100000 Stück Neu Original Auf Lager
12997482
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN

GT52N10D5 Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
SGT
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
71A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7.5mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
79W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-DFN (5.2x5.86)
Paket / Koffer
8-PowerTDFN

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
4822-GT52N10D5TR

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
nexperia

PXP012-30QLJ

P-CHANNEL TRENCH MOSFET

epc-space

FBG10N30BC

GAN FET HEMT100V30A COTS 4FSMD-B

onsemi

FDC638P-P

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

nexperia

2N7002HWX

2N7002HW/SOT323/SC-70