Hersteller Produktnummer:
FDC638P-P
Product Overview
Hersteller:
onsemi
Teilenummer:
FDC638P-P-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 20 V 4.5A (Ta) 1.6W (Ta) Surface Mount SuperSOT™-6
Inventar:
12997490
Angebot anfordern
Menge
Mindestens 1
Mindestens 1
(*) ist erforderlich
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
Wir werden uns innerhalb von 24 Stunden bei Ihnen melden
EINREICHEN
FDC638P-P Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
onsemi
Verpackung
-
Reihe
PowerTrench®
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
20 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.5A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
2.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
48mOhm @ 4.5A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
14 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1160 pF @ 10 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.6W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SuperSOT™-6
Paket / Koffer
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Basis-Produktnummer
FDC638
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
488-FDC638P-PTR
Umwelt- und Exportklassifizierung
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Alternative Modelle
Teilenummer
FDC638P
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
4802
TEILNUMMER
FDC638P-DG
Einheitspreis
0.16
ERSATZART
Parametric Equivalent
DIGI-Zertifizierung
Ähnliche Produkte
2N7002HWX
2N7002HW/SOT323/SC-70
CMS23P04D-HF
MOSFET P-CH 40V 23A DPAK
PH6030DLV-CBSNX
MOSFET N-CH 30V LFPAK
