Hersteller Produktnummer:
GC11N65T
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
GC11N65T-DG
Beschreibung:
N650V,RD(MAX)<360M@10V,VTH2.5V~4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 192W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
98 Stück Neu Original Auf Lager
13000672
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GC11N65T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
Cool MOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
21 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
901 pF @ 50 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
192W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
50
Andere Namen
4822-GC11N65T
3141-GC11N65T
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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