Hersteller Produktnummer:
DMWSH120H28SM4Q
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMWSH120H28SM4Q-DG
Beschreibung:
SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 1200 V 100A (Tc) 429W (Tc) Through Hole TO-247-4
Inventar:
59 Stück Neu Original Auf Lager
13000680
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DMWSH120H28SM4Q Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tube
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
15V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
28.5mOhm @ 50A, 15V
vgs(th) (max.) @ id
3.6V @ 17.7mA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
156.3 nC @ 15 V
Vgs (Max)
+19V, -8V
Verlustleistung (max.)
429W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grad
Automotive
Qualifikation
AEC-Q101
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-247-4
Paket / Koffer
TO-247-4
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
HTML-Datenblatt
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
30
Andere Namen
31-DMWSH120H28SM4Q
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
Not Applicable
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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