Hersteller Produktnummer:
GC11N65F
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
GC11N65F-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 650V 11A TO-220F
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 11A (Tc) 38.5W (Tc) Through Hole TO-220F
Inventar:
10000 Stück Neu Original Auf Lager
12978212
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GC11N65F Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
Cool MOS™
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
4V @ 250µA
Vgs (Max)
±30V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
38.5W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220F
Paket / Koffer
TO-220-3 Full Pack
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
4822-GC11N65F
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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