Hersteller Produktnummer:
1002
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
1002-DG
Beschreibung:
N100V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<2
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 100 V 2A 1.3W Surface Mount SOT-23
Inventar:
2855 Stück Neu Original Auf Lager
12978215
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1002 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
100 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 2A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
387 pF @ 10 V
Verlustleistung (max.)
1.3W
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23
Paket / Koffer
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3141-1002DKR
3141-1002CT
3141-1002TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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