Hersteller Produktnummer:
G7K2N20LLE
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G7K2N20LLE-DG
Beschreibung:
N-PH,200V, ESD,2A,RD<0.7@10V,VTH
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 200 V 2A (Tc) 1.8W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L
Inventar:
2823 Stück Neu Original Auf Lager
13004186
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G7K2N20LLE Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
700mOhm @ 1A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
10.8 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
577 pF @ 100 V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
1.8W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
SOT-23-6L
Paket / Koffer
SOT-23-6
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
3141-G7K2N20LLEDKR
4822-G7K2N20LLETR
3141-G7K2N20LLECT
3141-G7K2N20LLETR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI-Zertifizierung
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