Hersteller Produktnummer:
GT025N06AM6
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
GT025N06AM6-DG
Beschreibung:
N60V,170A,RD<2.0M@10V,VTH1.2V~2.
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 60 V 170A (Tc) 215W (Tc) Surface Mount TO-263-6
Inventar:
13004201
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GT025N06AM6 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
60 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
170A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
5058 pF @ 30 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
215W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
TO-263-6
Paket / Koffer
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
800
Andere Namen
3141-GT025N06AM6TR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS Compliant
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
DIGI-Zertifizierung
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