Hersteller Produktnummer:
G65P06T
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G65P06T-DG
Beschreibung:
MOSFET P-CH 60V 65A TO-220
Detaillierte Beschreibung:
P-Channel 65A (Tc) 130W (Tc) Through Hole TO-220
Inventar:
13000952
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Menge
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G65P06T Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
3.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
130W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-220
Paket / Koffer
TO-220-3
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
2,000
Andere Namen
4822-G65P06T
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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