Hersteller Produktnummer:
DMT12H060LFDF-7
Product Overview
Hersteller:
Diodes Incorporated
Teilenummer:
DMT12H060LFDF-7-DG
Beschreibung:
MOSFET BVDSS: 101V~250V U-DFN202
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 115 V 4.4A (Ta) 1.1W (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type F)
Inventar:
783 Stück Neu Original Auf Lager
13000959
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DMT12H060LFDF-7 Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Diodes Incorporated
Verpackung
Tape & Reel (TR)
Reihe
-
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
115 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
4.4A (Ta)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
1.5V, 4.5V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 3A, 4.5V
vgs(th) (max.) @ id
1.4V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
7.8 nC @ 4.5 V
Vgs (Max)
±8V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
475 pF @ 50 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
1.1W (Ta)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
U-DFN2020-6 (Type F)
Paket / Koffer
6-UDFN Exposed Pad
Basis-Produktnummer
DMT12
Datenblatt & Dokumente
Datenblätter
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
31-DMT12H060LFDF-7TR
31-DMT12H060LFDF-7CT
31-DMT12H060LFDF-7DKR
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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