Hersteller Produktnummer:
G50N03J
Product Overview
Hersteller:
Goford Semiconductor
Teilenummer:
G50N03J-DG
Beschreibung:
MOSFET N-CH 30V 65A TO-251
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 65A (Tc) 48W (Tc) Through Hole TO-251
Inventar:
3000 Stück Neu Original Auf Lager
13000702
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G50N03J Technische Spezifikationen
Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Goford Semiconductor
Verpackung
Tube
Reihe
TrenchFET®
Produktstatus
Active
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
65A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
7mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Vgs (Max)
±20V
FET-Funktion
Standard
Verlustleistung (max.)
48W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Through Hole
Gerätepaket für Lieferanten
TO-251
Paket / Koffer
TO-251-3 Stub Leads, IPak
Zusätzliche Informationen
Standard-Paket
3,000
Andere Namen
4822-G50N03J
Umwelt- und Exportklassifizierung
RoHS-Status
RoHS non-compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
3 (168 Hours)
REACH-Status
Vendor Undefined
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
DIGI-Zertifizierung
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